新加坡開發(fā)出新方法提高二硒化鎢的光致發(fā)光效率

由新加坡國立大學（NUS）領(lǐng)導的研究小組已經(jīng)開發(fā)出一種提高二維半導體二硒化鎢光致發(fā)光效率的方法，為先進的光電子和光子器件等半導體的應用鋪平了道路。

Wee教授闡述了新方法的意義，并說，“這項工作的關(guān)鍵是金電漿納米陣列模板的設(shè)計。在我們的系統(tǒng)中，可以通過改變泵浦激光器的結(jié)構(gòu)間距，利用不同激光波長調(diào)諧共振達到匹配。這對實現(xiàn)以實現(xiàn)最佳的場約束光等離子體激元耦合至關(guān)重要�！�

NUS科學與工程研究生院（NGS）博士研究生、論文的第一作者王卓女士解釋說，“這是首次證明金電漿納米結(jié)構(gòu)能夠提高二硒化鎢光致發(fā)光效率的工作，我們必須設(shè)法實現(xiàn)這種納米材料的光吸收和發(fā)射效率空前提高�！�

二硒化鎢是一種單分子厚的半導體，是一個新興的過渡金屬硫化物（TMDCs）材料，它能將實現(xiàn)光電互轉(zhuǎn)換，使他們成為光電器件如薄膜太陽能電池、光電探測器柔性邏輯電路和傳感器的有實力的潛在候選人。然而，其原子薄的結(jié)構(gòu)降低了其吸收光譜和光致發(fā)光性能，從而限制了其實際應用。